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PMV185XN,215| MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
PMV185XN,215
描述 : MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
品牌 : NXP Semiconductors
PDF : PDF
庫(kù)存: AVAIL
在線報(bào)價(jià)一
現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì)，無(wú)起訂量限制，支持BOM表整單報(bào)價(jià)！
屬性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 76pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 325mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
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品牌 : Texas Instruments
型號(hào) : MSP430F149IPMR-KAM
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