日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF,擴(kuò)大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF擴(kuò)大了該公司的600V產(chǎn)品,為工業(yè)、通信和可再生能源應(yīng)用提供了迫切需要的電壓余量。
推出的這批650V快速體二極管MOSFET采用E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)制造,反向恢復(fù)電荷(Qrr)比傳統(tǒng)MOSFET低10倍。這樣器件就能更快地阻斷電壓,有助于避免共通和熱過應(yīng)力造成的失效,在零電壓切換(ZVS)/軟開關(guān)拓?fù)渲刑岣呖煽啃裕缫葡鄻颉LC轉(zhuǎn)換器和3電平逆變器。