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AUIRS20161S| IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC

AUIRS20161S

描述 :   IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Channel Type Single
Current - Peak Output (Source, Sink) 500mA, 500mA
Driven Configuration High-Side
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 150V
Input Type Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH -
Mounting Type Surface Mount
Number of Drivers 1
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rise / Fall Time (Typ) 200ns, 200ns
Supplier Device Package 8-SOIC
Voltage - Supply 4.4 V ~ 6.5 V
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