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BS2100F-E2| IC DVR IGBT/MOSFET

BS2100F-E2

描述 :   IC DVR IGBT/MOSFET

品牌 :   Rohm Semiconductor

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現貨極具優勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Channel Type Independent
Current - Peak Output (Source, Sink) 60mA, 130mA
Driven Configuration Half-Bridge
Gate Type N-Channel MOSFET
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V
Input Type Non-Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH 1V, 2.6V
Mounting Type Surface Mount
Number of Drivers 2
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Rise / Fall Time (Typ) 200ns, 100ns
Supplier Device Package 8-SOP
Voltage - Supply 10 V ~ 18 V
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電子元件制造商

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