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IPI120N06S4H1AKSA2| MOSFET N-CH TO262-3

IPI120N06S4H1AKSA2

描述 :   MOSFET N-CH TO262-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現貨極具優勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 270nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 21900pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Power - Max 250W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 200μA
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電子元件制造商

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