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IPP086N10N3GHKSA1| MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

IPP086N10N3GHKSA1

描述 :   MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

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屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3980pF @ 50V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 125W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6 mOhm @ 73A, 10V
Supplier Device Package PG-TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 75μA
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電子元件制造商

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