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IRLHM630TR2PBF| MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

IRLHM630TR2PBF

描述 :   MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3170pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-VQFN Exposed Pad
Power - Max 2.7W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Supplier Device Package PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 50μA
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