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SPB20N60S5ATMA1| MOSFET N-CH 600V 20A TO-263

SPB20N60S5ATMA1

描述 :   MOSFET N-CH 600V 20A TO-263

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫(kù)存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì),無起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價(jià)!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 103nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3000pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 208W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 1mA
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電子元件制造商

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