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SQ2319ES-T1-GE3| MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
SQ2319ES-T1-GE3
描述 : MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
品牌 : Vishay Siliconix
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庫(kù)存: AVAIL
在線報(bào)價(jià)一
現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì)，無(wú)起訂量限制，支持BOM表整單報(bào)價(jià)！
屬性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
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