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APTM100U13SG| MOSFET N-CH 1000V 65A J3

APTM100U13SG

描述 :   MOSFET N-CH 1000V 65A J3

品牌 :   Microsemi Corporation

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庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2000nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 31600pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case J3 Module
Power - Max 1250W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 32.5A, 10V
Supplier Device Package Module
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 10mA
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