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APTM100DA18T1G| MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

APTM100DA18T1G

描述 :   MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

品牌 :   Microsemi Corporation

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì),無起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價(jià)!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 570nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 14800pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Power - Max 657W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 216 mOhm @ 33A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
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電子元件制造商

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