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SCT20N120| MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
SCT20N120
描述 : MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
品牌 : STMicroelectronics
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庫(kù)存: AVAIL
在線報(bào)價(jià)一
現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì)，無(wú)起訂量限制，支持BOM表整單報(bào)價(jià)！
屬性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 45nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 400V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 175W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 10A, 20V |
| Supplier Device Package | HiP247? |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
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