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IRF8910GPBF| MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO

IRF8910GPBF

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現貨極具優勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 960pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4 mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2.55V @ 250μA
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電子元件制造商

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