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IPG20N06S3L-23| MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

IPG20N06S3L-23

描述 :   MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫(kù)存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì),無(wú)起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價(jià)!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2950pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Power - Max 45W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-4 (5.15x6.15)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 20μA
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電子元件制造商

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