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IPG20N06S4L26AATMA1| MOSFET 2N-CH 8TDSON

IPG20N06S4L26AATMA1

描述 :   MOSFET 2N-CH 8TDSON

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現貨極具優勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1430pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Power - Max 33W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-10
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 10μA
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電子元件制造商

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