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BSM180D12P2C101| MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
BSM180D12P2C101
描述 : MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
品牌 : Rohm Semiconductor
PDF : PDF
庫存: AVAIL
在線報價一
現貨極具優勢，無起訂量限制，支持BOM表整單報價！
屬性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 23000pF @ 10V |
| Mounting Type | * |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 1130W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
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