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IRD3CH101DB6| DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
在線報價一
屬性
| Capacitance @ Vr, F | - |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3.6μA @ 1200V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Reverse Recovery Time (trr) | 360ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Die |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.7V @ 200A |
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電子元件制造商
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