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IDB10S60C| DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

IDB10S60C

描述 :   DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

品牌 :   Infineon Technologies

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庫存: AVAIL

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屬性

Capacitance @ Vr, F 480pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 10A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 140μA @ 600V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Reverse Recovery Time (trr) 0ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A
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電子元件制造商

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