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UGB12JT-E3/81| DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB
UGB12JT-E3/81
描述 : DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB
品牌 : Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存: AVAIL
在線報(bào)價(jià)一
現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì)，無起訂量限制，支持BOM表整單報(bào)價(jià)！
屬性
| Capacitance @ Vr, F | - |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30μA @ 600V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 12A |
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電子元件制造商
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型號(hào) : MSP430F149IPMR-KAM
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品牌 : STMicroelectronics
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