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UGB12JTHE3/45| DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB

UGB12JTHE3/45

描述 :   DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB

品牌 :   Vishay Semiconductor Diodes Division

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

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屬性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 12A
Current - Reverse Leakage @ Vr 30μA @ 600V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package TO-263AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 12A
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電子元件制造商

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