日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,針對高功率混合裝配、SiC和GaN應(yīng)用中的使用環(huán)境,推出新的薄膜條MOS電容器。Vishay Dale Resistors Electro-Films BRCP可處理高功率,工作電壓高達(dá)100V,有120mil x 35mil(外形A)和240mil x 35 mil(外形B)兩種小外形尺寸,能夠在不犧牲性能的情況下,實現(xiàn)更小的產(chǎn)品設(shè)計。
今天推出的這些器件具有高工作電壓和5pF~100pF的電容,以及魯棒的MOS結(jié)構(gòu),適用于LC、RC或LRC濾波,RF扼流,以及直流隔離和阻抗匹配。對于這些應(yīng)用,BRCP可以采用多引線鍵合,最小容值的外形A、外形B的電容器分別有7個鍵合和15個鍵合。