日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF,擴大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產品組合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF擴大了該公司的600V產品,為工業、通信和可再生能源應用提供了迫切需要的電壓余量。
推出的這批650V快速體二極管MOSFET采用E系列超級結技術制造,反向恢復電荷(Qrr)比傳統MOSFET低10倍。這樣器件就能更快地阻斷電壓,有助于避免共通和熱過應力造成的失效,在零電壓切換(ZVS)/軟開關拓撲中提高可靠性,例如移相橋、LLC轉換器和3電平逆變器。